这篇文章中说的都是 10/100 M 的电路，不涉及 1000 M 的电路。 参考资料： DP83848C/I/VYB/YB PHYTER™ QFP Single Port 10/100 Mb/s Ethernet Physical Layer Transceiver datasheet (Rev.
串口不需要做等长，发送和接收互不干扰。 多条线有时序的要求才会做等长。 (83 封私信 / 80 条消息) 第21章 DDR3内存的相关知识及PCB设计方法 - 知乎 布线规则 关于 DDR 的的等长，可以把所有信号线一起等长，但是这没必要，也不现实，板子没这么大的空间，这是个不成熟的想法。 内存的
LDO、DCDC电路带载能力： 带不动负载的表现：接上负载或负载电流增大时，输出电压突然暴跌到一个很低的值，低于正常的输出电压，导致后级电路无法正常工作。 LDO 和DCDC 有最大输出电流参数，这个是能为负载提供的最大电流。 另外，LDO 或 DC-DC 本身也需要一个输入电源。 如果这个输入电源
怎么判断dc-dc芯片提供的电流，后面负载够用? 电流不够会怎么样？ DC-DC 电感值在线计算：电感 |芯源系统|MPS 开关电源仿真软件。 常用芯片
关键知识：电子带负电，电流方向与电子运动方向相反。 PN 结 半导体基础 半导体：导电能力介于导电和绝缘之间的材料。 本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体，也就是没有杂质的半导体。 杂质半导体：
运放的特点： 输入端阻抗大，可以理解为输入端无电流；输出端阻抗小。 放大的是两个输入端的差值。 虚短： 虚断： 注意，有的比较器是开漏输出，因此要加上拉电阻才能输出高电平。
三极管是流控型元件，MOS管是压控型元件。 我们常见的NMOS、PMOS是绝缘栅型场效应管。 MOS 管的使用场景： 作为开关，这是MOS管99.9%的应用场景。利用开关的特性，可拓展用于防反接电路、电源切换电路等。 在模拟电路中，可用于放大、恒流源、可变电阻、阻抗变换等。但是基本上用不到，最多用个
三极管即 BJT 双极型晶体管。 三极管放大时，关心的是信号失不失真。 三极管的放大并不是说凭空就增加了能量，能量不会凭空出现，也不会凭空消失。 三极管是流控型元器件，通过基极控制集电极的电流，由于集电极电压不变，所以控制的是功率。 IE=IB+IC
丝印处理 推荐大小： 密度较高：宽5mil，高25mil 密度适中：宽6mil，高30mil 密度较低：宽8mil，高40mil 为方便调整底层丝印，可以先将板子镜像。 （1）全选位号
Router中关于布线的操作： F2：交互式走线（默认 F3，自定义 F2） ESC：退出走线 删除导线：【BackSpace】或【Delete】 【Shift+左键单击】：打孔 【Ctrl+左键单击】：结束当前走线 左键双击：结束当前走线，并自动连接两个 PIN W命令：修改线宽 修线：默认【Sh
推荐顺序： spi_enable(SPI1); // 先使能 SPI spi_dma_enable(SPI1, SPI_DMA_TRANSMIT); // 再打开 SPI DMA 发送功能 dma_channel_enable(DMA0, DMA_CHx); // 最后使能 DMA 通道 bidir
#define BSP_TIMER_RCU RCU_TIMER5 #define BSP_TIMER TIMER5 #define BSP_TIMER_IRQ TIMER5_IRQn int main() { rcu_periph_clock_enable(BSP_TIM
